「香港飛龍」標誌 本文内容： 5月28日，隨着長飛先進武漢基地首片晶圓正式下線，總投資超200億元的長飛先進武漢基地正式投產。長飛光纖執行董事兼總裁、長飛先進董事長莊丹表示：“這不僅是長飛先進發展歷程中一箇重要里程碑，更意味着年產36萬片碳化硅晶圓的武漢基地將全面進入量產倒計時。”當前，以碳化硅爲代表的第三代半導體已成爲全球爭相搶佔的科技制高點，其製造技術水平和產業規模直接關係到國家經濟和科技發展。在此背景下，2023年8月，長飛先進與武漢東湖高新區簽署了第三代半導體功率器件研發生產基地項目合作協議，持續擴大公司產能規模。據介紹，長飛先進武漢基地項目總投資200億、佔地面積498畝，其中一期佔地344畝，建設內容包括年產36萬片外延廠、年產36萬片6寸碳化硅晶圓廠、年產6100萬個碳化硅功率模塊封測廠，以及覆蓋材料、化學分析、可靠性測試、失效分析、產品特性和產品應用的全產業鏈實驗室，致力於打造一箇集車規級芯片設計、製造及先進技術研發於一體的現代化半導體制造基地。莊丹在接受經濟觀察網採訪時表示：“隨着武漢基地首片晶圓正式下線，長飛先進將迎來全新的發展征程，相信這不僅是長飛先進發展史上重要的里程碑，也將對中國第三代半導體及新能源汽車產業的發展作出積極貢獻。”過去三年，在第三代半導體創業過程中，長飛先進公司團隊規模不斷擴大，員工總數已超1500人；成功完成國際汽車電子行業質量管理及車規級可靠性兩大核心標準認證；完成蕪湖、武漢兩大生產基地及上海、深圳兩大銷售中心戰略佈局。作爲引領新能源領域的“下一代功率半導體”，碳化硅正迎來發展的“黃金時代”。長飛先進方面表示，以本次武漢基地建成投產爲新的起點，公司將一如既往不斷加大研發投入、強化製造能力、提升產品競爭力，同時攜手業界同仁，共同打造以碳化硅爲代表的化合物半導體產業集羣。 (本文内容不代表本站观点。) --------------------------------- |
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