「香港飛龍」標誌 本文内容： 如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~上篇文章《》探尋中東，見識了阿聯酋的芯片佈局；本次我們將視角轉向南亞，聚焦印度半導體產業的發展故事。近年來，在全球半導體產業逆全球化浪潮與地緣政治博弈交織的當下，印度正以令人矚目的速度崛起爲國際芯片巨頭戰略佈局的核心座標。從瑞薩電子宣佈在印啓動3nm先進製程研發，到德州儀器將最小MCU設計團隊落子班加羅爾，再到富士康攜手HCL斥資建設半導體封裝基地...，一場橫跨芯片設計、製造、封裝全產業鏈的“印度熱”正在上演。印度半導體，熱鬧起來了瑞薩3nm，強勢入局印度2025年5月13日，日本半導體巨頭瑞薩電子在印度諾伊達和班加羅爾啓動兩座3nm芯片設計中心，這是印度首個3nm芯片設計項目落地，標誌其半導體野心邁出關鍵一步。瑞薩3nm設計中心聚焦車規級與高性能計算芯片研發，計劃2027年下半年量產。項目獲印度政府大力支持，超270所學術機構獲EDA軟件及學習套件，用於工程師培養。瑞薩計劃2025年底將在印員工增至1000人，並通過“半導體計劃”與“生產掛鉤激勵計劃（PLI）”，聯動250多家學術機構和初創企業。製造環節，瑞薩聯合印度CG Power、泰國星微電子，在古吉拉特邦投資760億盧比（約9.2億美元）建設外包封測廠，專注國防、太空芯片封裝，與塔塔集團28nm晶圓廠協同，構建“設計-製造-封裝”全產業鏈。瑞薩以端到端能力擴展爲核心，期望通過與印度政府合作，獲得50%財政補貼，同時深度融入印度人才培養體系。印度計劃五年內培訓8.5萬名VLSI工程師，支持100家初創企業，目標將印度打造爲瑞薩全球第二大研發基地。對印度而言，3nm設計能力的突破意義重大，此前該領域由美、韓和中國臺灣主導，此次技術轉移使印度首次躋身高端芯片設計行列。印度電子與信息技術部將其視爲半導體路線圖的“重大飛躍”，目標2030年實現半導體產值1090億美元，佔全球市場10%。然而，項目落地面臨諸多挑戰。製造環節，3nm製程設備精度要求極高，全球僅臺積電、三星等少數企業可量產，瑞薩計劃交由臺積電代工，地緣政治風險或影響代工穩定性。供應鏈上，印度本土體系不完善，原材料、設備供應依賴進口，成本高且不穩定。技術層面，印度雖有龐大工程師羣體，但高端設計經驗不足，目前僅具備成熟製程設計能力，3nm工藝對晶體管密度和能效優化要求極高，且本土缺乏IP庫和設計工具鏈，需依賴外部支持。印度半導體產業雄心與挑戰並存，瑞薩3nm設計中心的落地是重要進展，但未來能否克服製造依賴、供應鏈困境和技術短板，將決定其能否在全球半導體格局中真正佔據一席之地。富士康與HCL合資：在印度建設半導體封裝廠2025年5月14日，印度內閣批准富士康與HCL集團合資建設半導體封裝廠，總投資370.6億盧比（約4.35億美元），選址北方邦傑瓦爾機場，預計2027年投產。項目分兩期，一期聚焦封裝測試，二期升級爲完整製造工廠，最終實現月產2萬片晶圓、3600萬顆顯示驅動芯片的產能。在技術與產品規劃上，項目初期爲海外芯片提供後段服務，規避印度本土製造短板；二期轉向顯示驅動芯片製造，覆蓋手機、汽車等領域，與富士康在印iPhone組裝廠形成“芯片-模組-整機”垂直整合生態。項目深度綁定蘋果供應鏈重構需求，目前印度產iPhone佔美國進口量20%，蘋果計劃擴大印度產能以應對地緣風險。富士康藉此不僅響應蘋果“印度製造”戰略，還能通過本地化芯片供應降低20%電子元器件進口關稅，其與羣創光電合作的面板廠也將與封裝廠協同，推動顯示產業鏈本土化。該項目是印度批准的第六個半導體制造項目，獲“半導體計劃”政策支持，印度政府提供資本補貼、土地優惠及稅收減免，北方邦還給予電力稅豁免與技能培訓撥款。富士康持股40%、HCL集團持股60%，雙方計劃採用“技術引進+本土運營”模式，構建車規電子製造能力，並規劃後續再建兩座晶圓廠及一座封裝廠。截至2025年5月，項目已完成公司註冊與選址勘測，預計年底啓動基建。富士康將培養500名技術人才，引入中國臺灣供應商完善供應鏈；HCL集團正與恩智浦、特斯拉洽談車用顯示驅動芯片代工合作。不過，項目面臨多重挑戰。印度顯示驅動芯片技術積累不足，富士康雖引入面板技術，但芯片設計依賴外部IP授權。二期需突破28nm製程，而本土工程師僅具備40nm經驗，技術轉移依賴中國臺灣專家。此外，全球市場由三星、LG主導，富士康需突破技術指標才能進入主流供應鏈，且印度本土僅能消化30%產能，剩餘產能依賴出口，地緣政治風險或影響訂單穩定。總體而言，該合作是印度半導體“差異化突圍”的重要嘗試，若量產順利，有望形成區域性優勢，但要實現從“封裝測試”到“自主設計製造”的跨越，仍需突破技術、產能等諸多瓶頸。力積電赴印建首座12英寸晶圓廠2024年9月，力積電與印度塔塔電子簽約，在古吉拉特邦共建印度首座12英寸晶圓廠，總投資110億美元，月產能5萬片，預計2026年量產。該項目既是印度半導體制造里程碑，也是力積電全球佈局關鍵一環。力積電負責晶圓廠設計建造、成熟製程技術轉移（28nm及以上工藝）與人才培訓，塔塔集團承擔超90%投資及運營管理。雙方以“技術授權+本土運營”模式，構建“設計-製造-封裝”全產業鏈生態。工廠聚焦車規級、面板驅動及高速運算邏輯芯片，目標市場涵蓋電動汽車、AI等領域。塔塔電子已與恩智浦、特斯拉洽談代工合作，並規劃後續再建兩座工廠，同步推進阿薩姆邦封裝廠建設。對力積電而言，技術轉移可鞏固其成熟製程影響力，藉助印度“半導體計劃”7600億盧比補貼與“生產掛鉤激勵計劃”，低成本獲取市場準入。印度政府爲項目提供最高50%財政補貼，承諾土地優惠、稅收減免。印度將項目納入“自力更生印度”戰略，目標2030年前培養5萬半導體人才，提升自給率至50%。目前，工廠基建完成30%，12項成熟製程專利已轉移，首批500名學員進入實訓，塔塔與恩智浦代工合作進入技術驗證階段。然而，項目挑戰重重。技術層面，印度工程師雖佔全球半導體勞動力20%，但具備先進製程經驗者不足1%，28nm技術轉移依賴中國臺灣專家。市場方面，全球成熟製程產能過剩，印度本土需求或難消化月產5萬片的規模，需依賴代工訂單平衡產能。政策執行上，印度此前100億美元補貼計劃因審批慢、參與度低收效甚微，此次補貼能否按時到位存疑。力積電與塔塔的合作是印度半導體“跨越式發展”的大膽嘗試，其成敗不僅取決於技術轉移，更依賴印度政府在政策執行、基建配套和市場培育上的持續作爲。英飛凌在印度開設研發中心2025年3月24日，英飛凌在印度古吉拉特邦艾哈邁達巴德的全球能力中心（GCC）正式啓用，作爲其在印度的第五個研發據點，該中心位於GIFT City，計劃未來五年僱傭500名工程師，聚焦芯片設計、產品軟件研發、信息技術、供應鏈管理及系統應用工程，目前英飛凌在印員工總數超2500人，班加羅爾爲其最大研發基地。英飛凌將印度視爲全球創新核心，目標2030年銷售額超10億歐元，緊扣印度車規與工業芯片需求，依託“半導體計劃”最高50%的財政補貼加速佈局。其採用“研發本地化+製造外包”模式，研發端重點開發下一代車規和工業控制芯片，利用印度工程師降低成本；製造端與印企CDIL、Kaynes達成晶圓供應協議，由印企負責封測與銷售，形成“設計-封測-銷售”協作鏈條，目前暫無自建晶圓廠計劃，遠期可能依印度供應鏈成熟度調整戰略。此外，英飛凌積極構建本地生態，與高校合作培養半導體人才，藉助古吉拉特邦土地、稅收等政策優惠深化政企聯動，瞄準印度2032年千億美元半導體市場，目標搶佔10%以上份額。英飛凌的印度佈局是其“全球本地化”戰略關鍵落子，通過研發中心、本土合作網絡和政策資源整合，試圖在印度半導體爆發期佔據先機，助力印度向“製造強國”轉型。美光在印建設封測廠2023年6月，美光與印度政府簽約，投資27.5億美元在古吉拉特邦建DRAM與NAND芯片封測廠，獲印度中央及邦政府50%、20%財政支持，這是印度“半導體計劃”首個落地的國際龍頭封測項目。工廠聚焦晶圓分割、封裝、測試及模組生產，預計2025年上半年首批產品下線，滿產後可創造超5000個高技術崗位，將成南亞大型存儲芯片封測基地。其選址與塔塔電子晶圓廠、瑞薩電子封測項目形成50公里產業集羣，初步構建“設計-製造-封測”區域閉環。工廠採用40nm及以上成熟製程，服務印度本土及東南亞、中東市場，可降低美光亞太區15%-20%封測成本。項目推進中，美光推動供應鏈本土化，韓國材料商隨廠投資，印度本土企業也在設備維護、化學品供應等領域合作，美國政府還提供關鍵原材料支持。雖因印度基礎設施短板，投產推遲6個月，但美光仍看好印度市場潛力。該項目是莫迪政府“自力更生印度”戰略的成果，標誌印度向芯片製造環節突破。隨着印度擬推超百億美元新一輪半導體激勵政策，美光正評估二期擴產，計劃2030年前將月封測產能提至15萬片，覆蓋進階技術。美光在印的佈局，展現出印度通過“政策槓桿+國際合作”，加速成爲全球芯片製造新樞紐的決心與潛力。半導體巨頭齊聚印度此外，還有諸多全球半導體頭部企業加速在印度構建戰略支點。英偉達、AMD等芯片巨頭率先在印設立大規模研究與設計中心，將印度納入其全球創新網絡，以分散供應鏈風險並貼近快速增長的消費電子市場。恩智浦作爲汽車芯片領域的領導者，宣佈未來幾年內將在印度的研發投入翻倍至超10億美元，目前已擁有四個設計中心及3000名員工，並計劃在大諾伊達半導體園建立專注於5納米汽車芯片的第二研發部門，目標將員工總數提升至6000人。高通、TI等企業通過設立研發中心和本地化團隊，深度參與印度5G通信、物聯網等新興領域的技術開發。ADI則與塔塔集團達成戰略聯盟，探索在印度共建半導體制造工廠，重點開發應用於電動汽車和網絡基礎設施的定製化芯片，此舉標誌着國際廠商開始從設計環節向製造環節延伸。這些佈局與印度政府的產業政策形成共振。印度通過修訂100億美元半導體激勵計劃，放寬技術要求並提高補貼比例，吸引了包括以色列Tower Semiconductor與Adani Group合作的100億美元晶圓廠項目。此外，全球半導體設備巨頭也正在加速在印度構建戰略支點，深度參與其產業生態重塑，完善產業鏈佈局。日本DISCO率先在班加羅爾設立法人機構，於艾哈邁達巴德建立服務網點，初期10人團隊將依客戶需求擴展。其佈局意在爲美光、塔塔電子等在印晶圓廠、封測廠提供設備安裝與技術支持，還通過新加坡基地提前培養印度籍營銷人員。應用材料將印度定位爲全球研發與供應鏈樞紐，2023年啓動的4億美元投資計劃穩步推進。在欽奈設立人工智能與數據科學卓越中心，聚焦芯片製造AI應用開發，預計創造500個高端崗位，計劃將員工總數從8000人擴至10000人。同時，與15家供應商合作探索在印建立設備零部件製造基地，力求驗證中心與晶圓廠物理共置，縮短研發週期，提升材料驗證效率，助力印度在成熟製程領域形成競爭力。Lam Research（泛林集團）實施“供應鏈本土化”策略，2024年宣佈在卡納塔克邦投資12億美元，與當地政府合作推動精密組件、高純度氣體輸送系統等本土供應能力建設。公司評估印度供應商在晶圓製造設備核心部件的合作潛力，計劃將印度納入全球3000家供應商網絡，在刻蝕、薄膜沉積等關鍵設備領域實現本地化配套，以此增強區域供應鏈韌性，降低亞太地區供應鏈風險。東京電子與印度塔塔電子深度合作，爲其古吉拉特邦12英寸晶圓廠供應設備，還將建立專項培訓體系，助塔塔電子工程師掌握先進製程設備操作技術。計劃到2026年在印建立設備交付與售後支持系統，組建本地工程師團隊，服務塔塔電子在汽車電子、AI芯片等領域的製造需求 。巨頭們的佈局與印度產業政策形成共振，印度中央及地方政府提供最高75%的項目成本補貼，促進設備巨頭與晶圓廠協同發展。國際資本的湧入，印證了印度市場的戰略價值。其吸引力不僅在於預計2026年芯片需求將突破千億美元，是全球增長最快的半導體市場，更在於汽車電子、5G通信等領域的爆發式增長，爲半導體產業提供廣闊應用場景。儘管印度半導體產業仍受基礎設施薄弱、技術積累不足等問題制約，但憑藉“政策槓桿+國際合作”，正逐步從芯片設計外包大國向製造環節邁進。隨着半導體頭部企業深度參與，印度有望在汽車電子、工業控制等細分領域形成差異化競爭力，成爲全球半導體供應鏈重構中的重要變量。印度半導體產業的故事實際上，印度半導體產業的發展歷程充滿波折與機遇，從早期的技術突破到政策調整，再到如今的全球巨頭紛紛佈局，其軌跡折射出一箇國家在半導體領域的不懈探索。印度半導體產業的起點可追溯至1984年，政府出資成立的半導體制造公司SCL曾在80年代將工藝製程從5微米提升至0.8微米，僅落後英特爾一代。然而，1989年的一場大火燒燬了SCL工廠，重建耗時8年，導致印度錯失半導體發展的黃金時期。此後，印度多次嘗試吸引外資建廠，但因政策滯後、資源不足等問題屢屢受挫，例如2005年英特爾因政策缺失放棄投資，2012年激勵計劃因資本和水資源問題停滯。直到2021年12月，莫迪政府推出“印度半導體計劃”，提供7600億盧比（約100億美元）激勵金，但初期反響有限。真正的轉折點出現在2023年6月，修訂版計劃將財政支持比例提升至50%，覆蓋半導體制造、封裝測試等全產業鏈，並放寬技術要求，吸引美光、瑞薩等巨頭入駐。這一政策調整標誌着印度從“口號式”激勵轉向實質性產業扶持。在政策推動下，印度半導體產業已取得顯著進展。除了上述介紹的廠商之外，幾乎全球排名前列的半導體公司，包括英特爾、德州儀器、英偉達、高通等都在印度設有設計和研發中心，大部分人員集中在印度南部卡納塔克邦的班加羅爾市。圖源：ISM此外，印度還與美國、日本、歐盟簽署多項合作協議，推動技術轉移和供應鏈多元化。市場數據顯示，印度半導體消費預計從2019年的220億美元增長至2026年的640億美元，複合增長率16%，其中汽車、消費電子和無線通信爲主要增長領域。半導體巨頭投資印度的動因國際半導體巨頭之所以紛紛奔赴印度，筆者認爲有以下幾點原因：政策與資金支持：印度提供全球最慷慨的補貼政策，中央政府承擔50%項目成本，邦政府額外補貼20%-25%，企業實際出資僅需25%-30%，直接降低企業投資門檻。修訂版計劃還針對封測、化合物半導體等細分領域提供專項支持，進一步降低企業投資風險。圖源：India Semiconductor Mission（ISM）人才儲備與成本優勢：印度擁有全球20%的半導體設計人才，英特爾、高通等25家頭部企業在班加羅爾設立研發中心，新思科技等公司員工超5500人。每年新增10萬工程畢業生，爲產業提供充足人力儲備，且人力成本僅爲發達國家的1/3。英特爾、高通等企業已在印度設立研發中心，利用本地人才進行芯片設計和軟件開發；應用材料、Lam Research等設備巨頭通過培訓計劃，預計未來五年培養數萬名工程師。地緣政治與供應鏈重構：中美貿易摩擦和全球供應鏈多元化趨勢下，印度成爲企業分散風險的重要選擇。半導體巨頭通過在印度設廠，既能規避地緣風險，又能貼近快速增長的本地市場（如汽車電子、5G設備）。印度與美國簽署的《半導體供應鏈和創新夥伴關係諒解備忘錄》，進一步強化了其作爲“可靠製造中心”的地位。市場潛力與產業協同：印度半導體市場規模預計2030年達1100億美元，且政府推動“印度製造”和“數字印度”計劃，刺激本土需求。同時，印度正通過本土巨頭與國際合作打造完整產業鏈，正構建從設計、製造到封裝的完整生態，吸引上下游企業集聚，形成產業集羣，降低企業間協作成本。同時，蘋果在印生產iPhone也能帶動芯片配套需求。基礎設施升級：印度在古吉拉特邦打造“半導體之城”，配套電力、交通等基礎設施，並設立半導體制造生態系統基金，用於園區開發和物流網絡建設。此外，印度政府推動“數字印度”計劃，投資1.1萬公里高速公路和智能電網，提升供應鏈效率。動因之下，挑戰仍在！莫迪政府立志2030年將印度打造成全球前五大半導體生產國，憑藉“政策槓桿+國際合作”，試圖從設計外包邁向製造強國。雖吸引多家國際大廠佈局，但深層挑戰仍嚴重製約其發展，即便修訂版“印度半導體計劃”提高補貼比例、放寬技術要求，也未能解決系統性難題。基礎設施與資源短板顯著：半導體制造對電力、水資源和土地要求極高，而印度難以滿足。臺積電拒絕在印建廠，直指其電力供應不穩、超純水生產能力不足及物流網絡滯後。以塔塔與力積電110億美元晶圓廠爲例，選址地古吉拉特邦雖靠港口，卻面臨工業用水短缺問題，電力波動也易致生產線停工。此外，印度70%的半導體級高純度氣體依賴進口，進一步推高製造成本。政策執行與項目落地困難重重：印度補貼政策雖具吸引力，卻因審批繁瑣、技術標準模糊，導致項目頻頻夭折。2021年100億美元激勵計劃因要求過高，僅5份申請進入評估，最終全部流產。2023年政策修訂後，Zoho 7億美元的化合物半導體晶圓廠項目仍因技術路徑不明而終止；Adani集團與高塔半導體的百億美元晶圓廠項目，也因投資風險分攤和市場需求預期分歧，於2024年暫停，暴露出政策與企業需求脫節的問題。人才斷層與勞動力效率低下加劇困境：印度雖擁有全球20%的半導體設計人才，但製造環節專業技能嚴重不足。Semicon India報告顯示，到2032年印度半導體行業勞動力缺口超80%。且本土工人效率僅爲中國的60%，抗拒加班，三星電子在印工廠曾因工人薪資、工時等訴求爆發罷工，凸顯勞資矛盾對產業的負面影響。營商環境與地緣競爭也帶來巨大挑戰：印度“外企墳場”的標籤持續削弱投資信心，富士康因補貼延遲退出195億美元合資項目，Zoho、Adani等本土項目流產也暴露政策不確定性。世界銀行數據顯示，2014-2021年近2800家外企撤離印度，繁瑣行政程序和低效司法體系是主因。與此同時，越南憑藉更低成本和更成熟的電子製造業，分流大量外資，其半導體投資增速已超越印度。總體而言，印度半導體產業的困境源於“政策激進”與“能力滯後”的矛盾。雖然部分項目落地帶來短期增長，但缺乏完整產業鏈、人才儲備不足、基礎設施薄弱等問題，使其難以擺脫“低端鎖定”。若無法在技術自主、供應鏈本地化和政策穩定性上取得突破，印度的“芯片夢”恐難實現。可以說，印度半導體產業的故事，既是一部錯失機遇的歷史，也是一部政策驅動、全球合作的奮鬥史。如今，全球半導體格局重構之際，印度憑藉“政策槓桿+人才紅利+地緣機遇”，正全力衝刺芯片製造新樞紐。美光封測廠、塔塔晶圓廠等項目落地，瑞薩、力積電等巨頭入局，勾勒出其從設計外包向製造中心轉型的輪廓，政策驅動下的產業集聚效應初步顯現。然而，基礎設施薄弱、供應鏈高度依賴進口、人才結構性短缺等深層矛盾，加上Zoho、Adani 等項目流產、富士康撤資等案例，暴露其“重補貼輕生態”的發展隱患。展望未來，印度若能在政策穩定性、本土供應鏈培育、勞動力技能升級上持續突破，或可在汽車電子、封測等細分領域佔據一席之地。但其能否從“補貼驅動”轉向“創新驅動”，破解基礎設施與營商環境的系統性障礙，將決定這場“芯片豪賭”是重塑全球版圖，還是淪爲又一箇產業雄心的註腳。半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4053期內容，歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時 專業 原創 深度公衆號ID：icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦 (本文内容不代表本站观点。) --------------------------------- |
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