「香港飛龍」標誌 本文内容： 如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~來源：本文編譯自tomshardware 。美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發一種堆疊式DRAM，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據《日經亞洲》報道，這兩家行業巨頭聯合成立了一家名爲 Saimemory 的公司，致力於基於英特爾的技術與東京大學等日本高校的專利，共同打造原型芯片。該公司計劃於 2027年完成原型開發並評估量產可行性，目標是在 2030年前實現商業化。目前，大多數AI處理器使用HBM芯片，這類高帶寬存儲器適合臨時存儲AI GPU處理的海量數據。然而，HBM製造工藝複雜、成本較高，而且容易發熱、功耗也偏高。英特爾與軟銀的合作旨在通過堆疊DRAM芯片並改進其內部佈線方式，來解決這些問題。通過這種方式，他們預計這種新型堆疊DRAM芯片的功耗將比同類HBM芯片減少一半。如果項目進展順利，軟銀表示希望優先獲得這種芯片的供應。當前，全球僅有三星、SK海力士和美光三家公司能夠量產最新一代HBM芯片。隨着AI芯片需求的激增，HBM供不應求的情況日益嚴重，因此Saimemory希望藉助這一替代方案搶佔日本數據中心市場，甚至進一步擴展其影響力。這也標誌着日本時隔二十多年後，首次試圖重返主流存儲芯片供應商行列。在1980年代，日本企業曾佔據全球約70%的存儲芯片市場份額，是當時的行業霸主。然而，隨着韓國和臺灣地區廠商的崛起，日本多數存儲芯片企業逐漸退出了市場。不過，Saimemory並非第一家探索3D堆疊式DRAM的企業。三星早在去年就宣佈了開發3D DRAM和堆疊式DRAM的計劃；而NEO Semiconductor也正在推進其名爲3D X-DRAM的產品研發。不過，這些項目的重點在於提升單芯片容量，目標是實現每個內存模塊高達512GB的容量。相比之下，Saimemory的核心目標是降低功耗——這是當前數據中心最爲迫切的需求，尤其是在AI計算功耗逐年飆升的背景下。https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/intel-and-softbank-collaborate-on-power-efficient-hbm-substitute-for-ai-data-centers-says-report半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4053期內容，歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時 專業 原創 深度公衆號ID：icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦 (本文内容不代表本站观点。) --------------------------------- |
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